Juegos Olimpicos de Verano
domingo, 29 de mayo de 2011
Diseñar presentaciones con prezi
Presentaciones con Prezi
Diseña presentaciones de lujo con Prezi
Por Abel Bueno el día 23 febrero, 2011
Cuando hablamos de presentaciones, como las de Powerpoint, Keynote o similares, encontramos dos corrientes estéticas muy distintas:
Por un lado, hay quienes optan por diapositivas blancas llenas de datos, que funcionan a modo de valeriana en la audiencia; por otro, hay quienes no dejan sin usar una sola transición o efecto, convirtiendo una conferencia en toda una experiencia psicotrópica.
Si estás harto de ambos extremos y quieres desmarcarte, estás de suerte; Prezi ha surgido para dar claridad y atractivo por igual a tus presentaciones. Sus resultados nos han dejado tan sorprendidos que queremos compartirlos con vosotros. ¿Nos acompañas?
Prezi y las presentaciones no lineales
En primer lugar, ¿es Prezi un sustituto de Powerpoint? No realmente. Puedes usarlo para crear cualquier tipo de presentación, pero funciona mejor como alternativa a las presentaciones lineales con diapositivas.
Por ejemplo, imagina una presentación con una o varias ideas generales, de las que van derivando una serie de sub-ideas. En Powerpoint deberías repetir diapositivas para que la audiencia volviera a puntos y conceptos anteriores. Sin embargo, en Prezi puedes diseñar un mapa mental y guiar a tu público por sus contenidos de forma intuitiva y ordenada.
¿Cómo creo una presentación en Prezi?
Lo primero que habrás de hacer es, por supuesto, crear una cuenta en su página web. El perfil Public, de carácter gratuito, es más que suficiente para la mayoría de usuarios, con 100MB de almacenamiento online.
Una vez tengas cuenta, puedes ver otros Prezis para inspirarte en tu nueva obra o acudir directamente al botón "New Prezi" para comenzar a diseñarla. Un nombre y una descripción y estarás en el editor de presentaciones.
Curioso, ¿verdad? El editor de Prezi no se parece en nada a un editor de presentaciones, sino más bien a uno de imágenes. Para guiarte en tus primeros pasos, Prezi inicia un tutorial durante la apertura del documento.
Lo más importante de Prezi es el menú de círculos que hay en la esquina superior izquierda. En él puedes agregar los tres tipos de elementos principales del programa: los marcos (Frame), las guías (Path) y los contenidos, ya sean textos (Write) o imágenes (Insert).
Creando los contenidos
Vamos a empezar con los contenidos. Si haces clic en cualquier zona de la mesa de trabajo con la herramienta Write, podrás escribir un texto. Las opciones de formato son pocas, pero Prezi no consiste en jerarquizar texto mediante colores o viñetas, aunque sea posible hacerlo.
Cuando hayas creado y dado formato a este texto, haz clic fuera para confirmar. Si vuelves a hacer clic en el elemento, aparecerá una rueda con tres capas:
La central es para arrastrar el elemento por la mesa.
La intermedia es para cambiar el tamaño del elemento.
La exterior es para rotar el elemento.
Todo lo dicho para los textos es aplicable con las imágenes que cargues del disco duro y con los vídeos de Youtube, que puedes integrar en la presentación. Además, si pulsas en el botón (+) podrás llevar el elemento por encima o por debajo de otros, al más puro estilo Illustrator.
Creando los marcos
Los marcos son la manera de Prezi para agrupar contenidos similares. Si la presentación fuese de idea en idea, lo más seguro es que tanto zoom y movimiento marearía a tu público. Para evitar eso, puedes agrupar texto e imágenes en marcos, que se verán en una única transición.
Para crear un marco, dirígete al menú Frame y elige una de las formas indicadas. Las formas rectangulares son mejores para contenidos ordenados, y las circulares para contenidos no ordenados.
Definiendo la ruta
Colocar todo esto sobre una mesa de trabajo no tendría mayor sentido en una presentación. Ahora es cuando has de definir hacia dónde se dirige en todo momento. Para ello, deberás acudir al menú Path.
Hay dos tipos de herramientas en Path: la herramienta Add añade nodos consecutivos a un determinado elemento. Estos puntos están unidos por rectas, de modo que el circuito total será el recorrido final de la presentación. Si te fijas, hay un círculo en la mitad de cada segmento; éste sirve para conectar un elemento entre otros dos.
La otra herramienta es Capture View. Sirve para mostrar como diapositiva lo que está en el encuadre de la pantalla. Es muy útil cuando quieres ofrecer una visión más amplia de varios contenidos agrupados.
Visualiza la presentación
El paso final es, por supuesto, reproducir la presentación y seducir a tu audiencia. Tienes dos formas de hacerlo:
La primera es desde el propio editor. Ya sea pulsando sobre el menú Show o mediante la tecla Espacio, se abandonará la edición del documento para pasar al reproductor, por el cual puedes moverte mediante las teclas izquierda y derecha. También hay un botón para ampliar la visualización a pantalla completa.
La segunda forma es desde la página de reproducción. Cuentas con los mismos controles que dentro del editor, pero además puedes establecer una reproducción automática para no tener que tocar ni un botón.
El genial concepto de Prezi le ha valido una fuerte inversión de capital de los fundadores del TED. Quizás eso te sirva de aval para probar este imaginativo método de exposición, que puede hacer que tus ideas lleguen mejor al público al que te diriges.
Diseña presentaciones de lujo con Prezi
Por Abel Bueno el día 23 febrero, 2011
Cuando hablamos de presentaciones, como las de Powerpoint, Keynote o similares, encontramos dos corrientes estéticas muy distintas:
Por un lado, hay quienes optan por diapositivas blancas llenas de datos, que funcionan a modo de valeriana en la audiencia; por otro, hay quienes no dejan sin usar una sola transición o efecto, convirtiendo una conferencia en toda una experiencia psicotrópica.
Si estás harto de ambos extremos y quieres desmarcarte, estás de suerte; Prezi ha surgido para dar claridad y atractivo por igual a tus presentaciones. Sus resultados nos han dejado tan sorprendidos que queremos compartirlos con vosotros. ¿Nos acompañas?
Prezi y las presentaciones no lineales
En primer lugar, ¿es Prezi un sustituto de Powerpoint? No realmente. Puedes usarlo para crear cualquier tipo de presentación, pero funciona mejor como alternativa a las presentaciones lineales con diapositivas.
Por ejemplo, imagina una presentación con una o varias ideas generales, de las que van derivando una serie de sub-ideas. En Powerpoint deberías repetir diapositivas para que la audiencia volviera a puntos y conceptos anteriores. Sin embargo, en Prezi puedes diseñar un mapa mental y guiar a tu público por sus contenidos de forma intuitiva y ordenada.
¿Cómo creo una presentación en Prezi?
Lo primero que habrás de hacer es, por supuesto, crear una cuenta en su página web. El perfil Public, de carácter gratuito, es más que suficiente para la mayoría de usuarios, con 100MB de almacenamiento online.
Una vez tengas cuenta, puedes ver otros Prezis para inspirarte en tu nueva obra o acudir directamente al botón "New Prezi" para comenzar a diseñarla. Un nombre y una descripción y estarás en el editor de presentaciones.
Curioso, ¿verdad? El editor de Prezi no se parece en nada a un editor de presentaciones, sino más bien a uno de imágenes. Para guiarte en tus primeros pasos, Prezi inicia un tutorial durante la apertura del documento.
Lo más importante de Prezi es el menú de círculos que hay en la esquina superior izquierda. En él puedes agregar los tres tipos de elementos principales del programa: los marcos (Frame), las guías (Path) y los contenidos, ya sean textos (Write) o imágenes (Insert).
Creando los contenidos
Vamos a empezar con los contenidos. Si haces clic en cualquier zona de la mesa de trabajo con la herramienta Write, podrás escribir un texto. Las opciones de formato son pocas, pero Prezi no consiste en jerarquizar texto mediante colores o viñetas, aunque sea posible hacerlo.
Cuando hayas creado y dado formato a este texto, haz clic fuera para confirmar. Si vuelves a hacer clic en el elemento, aparecerá una rueda con tres capas:
La central es para arrastrar el elemento por la mesa.
La intermedia es para cambiar el tamaño del elemento.
La exterior es para rotar el elemento.
Todo lo dicho para los textos es aplicable con las imágenes que cargues del disco duro y con los vídeos de Youtube, que puedes integrar en la presentación. Además, si pulsas en el botón (+) podrás llevar el elemento por encima o por debajo de otros, al más puro estilo Illustrator.
Creando los marcos
Los marcos son la manera de Prezi para agrupar contenidos similares. Si la presentación fuese de idea en idea, lo más seguro es que tanto zoom y movimiento marearía a tu público. Para evitar eso, puedes agrupar texto e imágenes en marcos, que se verán en una única transición.
Para crear un marco, dirígete al menú Frame y elige una de las formas indicadas. Las formas rectangulares son mejores para contenidos ordenados, y las circulares para contenidos no ordenados.
Definiendo la ruta
Colocar todo esto sobre una mesa de trabajo no tendría mayor sentido en una presentación. Ahora es cuando has de definir hacia dónde se dirige en todo momento. Para ello, deberás acudir al menú Path.
Hay dos tipos de herramientas en Path: la herramienta Add añade nodos consecutivos a un determinado elemento. Estos puntos están unidos por rectas, de modo que el circuito total será el recorrido final de la presentación. Si te fijas, hay un círculo en la mitad de cada segmento; éste sirve para conectar un elemento entre otros dos.
La otra herramienta es Capture View. Sirve para mostrar como diapositiva lo que está en el encuadre de la pantalla. Es muy útil cuando quieres ofrecer una visión más amplia de varios contenidos agrupados.
Visualiza la presentación
El paso final es, por supuesto, reproducir la presentación y seducir a tu audiencia. Tienes dos formas de hacerlo:
La primera es desde el propio editor. Ya sea pulsando sobre el menú Show o mediante la tecla Espacio, se abandonará la edición del documento para pasar al reproductor, por el cual puedes moverte mediante las teclas izquierda y derecha. También hay un botón para ampliar la visualización a pantalla completa.
La segunda forma es desde la página de reproducción. Cuentas con los mismos controles que dentro del editor, pero además puedes establecer una reproducción automática para no tener que tocar ni un botón.
El genial concepto de Prezi le ha valido una fuerte inversión de capital de los fundadores del TED. Quizás eso te sirva de aval para probar este imaginativo método de exposición, que puede hacer que tus ideas lleguen mejor al público al que te diriges.
jueves, 5 de mayo de 2011
Integrado CMOS-Puerta de transistores tri Sentar
Integrado CMOS-Puerta de transistores tri Sentar las bases para las Generaciones Futuras Tecnología
por Robert S. Chau , Senior Fellow de Intel
Información general
Siguiendo las tendencias de rendimiento del transistor y la ampliación, mientras que el control de fugas parasitarias
La industria de semiconductores continúa impulsando la innovación tecnológica para mantener el ritmo con la Ley de Moore, la reducción de los transistores para que cada vez más se pueden embalar en un chip. Sin embargo, en los nodos de la tecnología de futuro, la capacidad para reducir el tamaño de transistores cada vez más problemática, en parte debido al empeoramiento de los efectos a corto canal y un aumento de las fugas parasitaria con la ampliación de la dimensión de la puerta de longitud. Ambas fugas en los transistores de estado (que aumenta con la reducción de la dimensión puerta de longitud) y las fugas de óxido de puerta (que aumenta con la disminución de espesor de la puerta dieléctrica) están contribuyendo al aumento de la disipación de potencia con escala.
Para abordar el transistor fuera del estado problema de fugas, en 2002, Intel ha desarrollado del mundo CMOS primer transistor tri-gate, ¹ que emplea un diseño de puerta de la novela en tres dimensiones que mejora la transmisión de corriente al tiempo que reduce la fuga de corriente cuando el transistor está en "off del Estado. Desde entonces, Intel ha mejorado el rendimiento y la eficiencia energética del transistor, al integrar el diseño de tres puertas con otra tecnología de proceso de silicio y las innovaciones de materiales, incluyendo silicio rígido, dieléctricos high-k de la puerta, los electrodos de puerta de metal, y epitaxially planteadas fuente / drenaje. El resultado es un transistor no planas que pueden proporcionar NMOS 30 por ciento mayor unidad actual y PMOS 60 por ciento mayor que la unidad actual optimizada, los transistores de 65 nm plano el estado de la técnica de nodo en la misma salida fuera de estado. ² Este resultado muestra que los beneficios de las innovaciones de silicio distintas son, en efecto aditivo y se pueden combinar para ampliar y continuar con la ampliación CMOS y las tendencias de rendimiento.
Elevar el diseño de transistores CMOS de tres dimensiones
Desde su creación a finales de 1950, los transistores planares han actuado como el elemento básico de los microprocesadores. La escala de los transistores planares requiere la ampliación de los óxidos de puerta y la fuente / uniones de drenaje. Sin embargo, como estos elementos de transistores se vuelven más difíciles a escala, también lo hace la longitud de la puerta del transistor. La escala de los transistores planar es cada vez más difícil debido al empeoramiento de la electrostática y el rendimiento a corto canal con la reducción de dimensión de la puerta de longitud.
Una arquitectura de nuevo transistor que puede mejorar significativamente la electrostática y el rendimiento a corto canal es el transistor de tres puertas, como se muestra en Figura 1 . Este transistor, que puede ser fabricado o en el substrato o sustrato SOI estándar de silicio a granel, tiene un electrodo de puerta en la parte superior y dos electrodos de puerta en los lados del cuerpo de silicio. -La puerta del transistor superior tiene física puerta longitud L y G física puerta de anchura W Si, mientras que la-puerta del transistor lado tiene la puerta física longitud L y G física ancho de la puerta H Si, como se muestra en Figura 1 .
En general, la electrostática, por lo tanto el rendimiento de canal corto, de la puerta del transistor tri-es una función de la proporción de la efectiva G L a la efectiva Si W. La escala de W Si provee un botón adicional para mejorar la electrostática transistor con L escala G, además de óxido de la puerta y la fuente / escalas de conexiones de desagüe. La prima total de la unidad de corriente del transistor es una función de la suma de las corrientes de impulsión aportados por la puerta del transistor, la parte superior y los dos transistores de la puerta del lado, que a su vez es una función de la suma de 2 * H Si y Si W . Por lo tanto, el más alto el transistor, mayor será la unidad de prima total actual.
Figura 1. En el procesador Intel ®-la puerta del transistor tri, puertas rodean el canal de silicio en tres de los cuatro lados.
Mejorar el diseño hasta la integración innovadora
Para un funcionamiento más rápido y más fresco de los transistores no planas, Intel mejorado aún más el diseño de tres puertas mediante la integración con varias tecnologías avanzadas de semiconductores.
Cepa de ingeniería
Intel ha estado usando ingeniería de tensión en sus 90 nm y 65 nm NMOS plana proceso y transistores PMOS para mejorar su rendimiento y está aplicando la técnica a la arquitectura de tres puertas no planas. ingeniería de tensión mejora tanto la movilidad de los electrones y la movilidad del agujero de la CMOS de transistores tri-gate y mejora el rendimiento del transistor CMOS.
High-k/metal puerta de la pila
El CMOS transistores tri-gate utilizar un alto-k (constante dieléctrica) material para reemplazar el transistor de dióxido de silicio tradicionales dieléctrica, así como sustituir la puerta de polisilicio electrodo convencional con electrodos de puerta de metal con cierre workfunction a la midgap. El uso de la pila high-k/metal-gate reduce la fuga de óxido de la puerta frente a la puerta SiO2/polysilicon pila estándar. El uso de electrodos de metal elimina el agotamiento de polisilicio y mejora el rendimiento del transistor. Además, el uso de electrodos de metal con workfunctions proximidad al midgap también permite la reducción de las concentraciones de sustrato dopaje, mejorando así la movilidad del transistor y por lo tanto, el rendimiento del transistor en general.
Doble fuente epitaxial planteadas estructura de drenaje
El CMOS integrada transistor tri-gate utiliza una fuente única planteadas estructura de drenaje construido a través de la deposición epitaxial del silicio para el transistor NMOS y SIGE para el transistor PMOS. Las regiones de origen y de drenaje se plantean con respecto al plano de la interfaz de puerta de sustrato de óxido de silicio para reducir la resistencia del parásito, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.
Intel ha fabricado prototipos de la CMOS integrada de triple puerta de transistores en SOI, así como sustratos de silicio a granel. El transistor tri-gate en el silicio a granel y en SOI demuestra escala equivalente y el rendimiento a corto canal y rendimiento de la unidad del transistor.
Mejora del rendimiento con los transistores integrados tri-gate
En las pruebas de referencia, Intel demostró que NMOS integrada tri-gate y los transistores PMOS mostró un excelente control de los efectos de canal corto (SCE), lo que lleva a la reducción de fugas parásitas y el consumo de energía reducido. Los transistores tri-gate también demostró un mayor rendimiento, en términos de la unidad actual, en comparación con un optimizado, el transistor planar estado de la técnica-de 65 nm-nodo (véase Figura 2 ). Para un transistor dado el estado de fuga de corriente (I OFF), integrado tri-puerta del transistor NMOS había mayor a 30 por ciento actual (que DSAT) que el transistor planar. Este efecto es aún más pronunciado para la gestión integrada de triple puerta del transistor PMOS, que producía el 60 por ciento más que DSAT que el transistor plano en un yo OFF dado.
Figura 2. Integrados NMOS tri-puerta y los transistores PMOS demostrar rendimiento de la unidad actual de registro. La unidad actual, me DSAT, se normaliza a la anchura total del dispositivo, por ejemplo, 2 * H Si W Si +.
Intel también ha producido funcionales tri-gate RAM estática (SRAM) células (ver Figura 3 ) con una célula de lectura actual 1,5 veces mayor que el de las células de SRAM plana. Al construir hacia arriba, como se muestra en la Figura 4 , la arquitectura de tres-puerta proporciona más anchura del dispositivo de un tamaño determinado de células en comparación con el estándar del transistor planar-proporcionando así un alto nivel de lectura actual porque la corriente total es una función directa de la anchura total del dispositivo.
Intel también ha producido funcionales tri-gate RAM estática (SRAM) células (ver Figura 3 ) con una célula de lectura actual 1,5 veces mayor que el de las células de SRAM plana. Al construir hacia arriba, como se muestra en la Figura 4 , la arquitectura de tres-puerta proporciona más anchura del dispositivo de un tamaño determinado de células en comparación con el estándar del transistor planar-proporcionando así un alto nivel de lectura actual porque la corriente total es una función directa de la anchura total del dispositivo.
Figura 3. Primer plano de la puerta de SRAM células-tri.
Figura 4. Una puerta de la célula de SRAM-tri 1.5x muestra de células superiores lectura actual en comparación con el estándar
célula de SRAM plana de tamaño de las células equivalentes debido a la mayor dispositivo Z anchura total total = 2 * H Si W Si +.
Resumen
Como los transistores más pequeños, las corrientes de fuga parasitarias y la disipación de energía convertido en temas importantes. Al integrar el nuevo diseño tridimensional de los transistores tri-gate con tecnología avanzada de semiconductores, tales como la ingeniería de tensión y la puerta high-k/metal pila, Intel ha desarrollado un enfoque innovador hacia la solución del problema de fuga de corriente al mismo tiempo mejorar el rendimiento del dispositivo.
El CMOS integrados transistores tri-gate desempeñará un papel fundamental en la filosofía de Intel de rendimiento con eficiencia energética, ya que tienen una fuga de corriente más baja y consumen menos energía que transistores planar.
Debido a que los transistores tri-gate mejorar en gran medida el rendimiento y la eficiencia energética, que permitirá a Intel de ampliar la escala de los transistores de silicio. Intel espera que los transistores tri-gate podría convertirse en el bloque de construcción básico de los microprocesadores en los nodos de la tecnología futura. La tecnología puede ser integrada en un proceso económico, de fabricación de alto volumen, lo que de alto rendimiento y productos de bajo consumo.
Tomado de: http://www.intel.com/technology/silicon/integrated_cmos.htm
por Robert S. Chau , Senior Fellow de Intel
Información general
Siguiendo las tendencias de rendimiento del transistor y la ampliación, mientras que el control de fugas parasitarias
La industria de semiconductores continúa impulsando la innovación tecnológica para mantener el ritmo con la Ley de Moore, la reducción de los transistores para que cada vez más se pueden embalar en un chip. Sin embargo, en los nodos de la tecnología de futuro, la capacidad para reducir el tamaño de transistores cada vez más problemática, en parte debido al empeoramiento de los efectos a corto canal y un aumento de las fugas parasitaria con la ampliación de la dimensión de la puerta de longitud. Ambas fugas en los transistores de estado (que aumenta con la reducción de la dimensión puerta de longitud) y las fugas de óxido de puerta (que aumenta con la disminución de espesor de la puerta dieléctrica) están contribuyendo al aumento de la disipación de potencia con escala.
Para abordar el transistor fuera del estado problema de fugas, en 2002, Intel ha desarrollado del mundo CMOS primer transistor tri-gate, ¹ que emplea un diseño de puerta de la novela en tres dimensiones que mejora la transmisión de corriente al tiempo que reduce la fuga de corriente cuando el transistor está en "off del Estado. Desde entonces, Intel ha mejorado el rendimiento y la eficiencia energética del transistor, al integrar el diseño de tres puertas con otra tecnología de proceso de silicio y las innovaciones de materiales, incluyendo silicio rígido, dieléctricos high-k de la puerta, los electrodos de puerta de metal, y epitaxially planteadas fuente / drenaje. El resultado es un transistor no planas que pueden proporcionar NMOS 30 por ciento mayor unidad actual y PMOS 60 por ciento mayor que la unidad actual optimizada, los transistores de 65 nm plano el estado de la técnica de nodo en la misma salida fuera de estado. ² Este resultado muestra que los beneficios de las innovaciones de silicio distintas son, en efecto aditivo y se pueden combinar para ampliar y continuar con la ampliación CMOS y las tendencias de rendimiento.
Elevar el diseño de transistores CMOS de tres dimensiones
Desde su creación a finales de 1950, los transistores planares han actuado como el elemento básico de los microprocesadores. La escala de los transistores planares requiere la ampliación de los óxidos de puerta y la fuente / uniones de drenaje. Sin embargo, como estos elementos de transistores se vuelven más difíciles a escala, también lo hace la longitud de la puerta del transistor. La escala de los transistores planar es cada vez más difícil debido al empeoramiento de la electrostática y el rendimiento a corto canal con la reducción de dimensión de la puerta de longitud.
Una arquitectura de nuevo transistor que puede mejorar significativamente la electrostática y el rendimiento a corto canal es el transistor de tres puertas, como se muestra en Figura 1 . Este transistor, que puede ser fabricado o en el substrato o sustrato SOI estándar de silicio a granel, tiene un electrodo de puerta en la parte superior y dos electrodos de puerta en los lados del cuerpo de silicio. -La puerta del transistor superior tiene física puerta longitud L y G física puerta de anchura W Si, mientras que la-puerta del transistor lado tiene la puerta física longitud L y G física ancho de la puerta H Si, como se muestra en Figura 1 .
En general, la electrostática, por lo tanto el rendimiento de canal corto, de la puerta del transistor tri-es una función de la proporción de la efectiva G L a la efectiva Si W. La escala de W Si provee un botón adicional para mejorar la electrostática transistor con L escala G, además de óxido de la puerta y la fuente / escalas de conexiones de desagüe. La prima total de la unidad de corriente del transistor es una función de la suma de las corrientes de impulsión aportados por la puerta del transistor, la parte superior y los dos transistores de la puerta del lado, que a su vez es una función de la suma de 2 * H Si y Si W . Por lo tanto, el más alto el transistor, mayor será la unidad de prima total actual.
Mejorar el diseño hasta la integración innovadora
Para un funcionamiento más rápido y más fresco de los transistores no planas, Intel mejorado aún más el diseño de tres puertas mediante la integración con varias tecnologías avanzadas de semiconductores.
Cepa de ingeniería
Intel ha estado usando ingeniería de tensión en sus 90 nm y 65 nm NMOS plana proceso y transistores PMOS para mejorar su rendimiento y está aplicando la técnica a la arquitectura de tres puertas no planas. ingeniería de tensión mejora tanto la movilidad de los electrones y la movilidad del agujero de la CMOS de transistores tri-gate y mejora el rendimiento del transistor CMOS.
High-k/metal puerta de la pila
El CMOS transistores tri-gate utilizar un alto-k (constante dieléctrica) material para reemplazar el transistor de dióxido de silicio tradicionales dieléctrica, así como sustituir la puerta de polisilicio electrodo convencional con electrodos de puerta de metal con cierre workfunction a la midgap. El uso de la pila high-k/metal-gate reduce la fuga de óxido de la puerta frente a la puerta SiO2/polysilicon pila estándar. El uso de electrodos de metal elimina el agotamiento de polisilicio y mejora el rendimiento del transistor. Además, el uso de electrodos de metal con workfunctions proximidad al midgap también permite la reducción de las concentraciones de sustrato dopaje, mejorando así la movilidad del transistor y por lo tanto, el rendimiento del transistor en general.
Doble fuente epitaxial planteadas estructura de drenaje
El CMOS integrada transistor tri-gate utiliza una fuente única planteadas estructura de drenaje construido a través de la deposición epitaxial del silicio para el transistor NMOS y SIGE para el transistor PMOS. Las regiones de origen y de drenaje se plantean con respecto al plano de la interfaz de puerta de sustrato de óxido de silicio para reducir la resistencia del parásito, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.
Intel ha fabricado prototipos de la CMOS integrada de triple puerta de transistores en SOI, así como sustratos de silicio a granel. El transistor tri-gate en el silicio a granel y en SOI demuestra escala equivalente y el rendimiento a corto canal y rendimiento de la unidad del transistor.
Mejora del rendimiento con los transistores integrados tri-gate
En las pruebas de referencia, Intel demostró que NMOS integrada tri-gate y los transistores PMOS mostró un excelente control de los efectos de canal corto (SCE), lo que lleva a la reducción de fugas parásitas y el consumo de energía reducido. Los transistores tri-gate también demostró un mayor rendimiento, en términos de la unidad actual, en comparación con un optimizado, el transistor planar estado de la técnica-de 65 nm-nodo (véase Figura 2 ). Para un transistor dado el estado de fuga de corriente (I OFF), integrado tri-puerta del transistor NMOS había mayor a 30 por ciento actual (que DSAT) que el transistor planar. Este efecto es aún más pronunciado para la gestión integrada de triple puerta del transistor PMOS, que producía el 60 por ciento más que DSAT que el transistor plano en un yo OFF dado.
Figura 2. Integrados NMOS tri-puerta y los transistores PMOS demostrar rendimiento de la unidad actual de registro. La unidad actual, me DSAT, se normaliza a la anchura total del dispositivo, por ejemplo, 2 * H Si W Si +.
Intel también ha producido funcionales tri-gate RAM estática (SRAM) células (ver Figura 3 ) con una célula de lectura actual 1,5 veces mayor que el de las células de SRAM plana. Al construir hacia arriba, como se muestra en la Figura 4 , la arquitectura de tres-puerta proporciona más anchura del dispositivo de un tamaño determinado de células en comparación con el estándar del transistor planar-proporcionando así un alto nivel de lectura actual porque la corriente total es una función directa de la anchura total del dispositivo.
Intel también ha producido funcionales tri-gate RAM estática (SRAM) células (ver Figura 3 ) con una célula de lectura actual 1,5 veces mayor que el de las células de SRAM plana. Al construir hacia arriba, como se muestra en la Figura 4 , la arquitectura de tres-puerta proporciona más anchura del dispositivo de un tamaño determinado de células en comparación con el estándar del transistor planar-proporcionando así un alto nivel de lectura actual porque la corriente total es una función directa de la anchura total del dispositivo.
Figura 3. Primer plano de la puerta de SRAM células-tri.
Figura 4. Una puerta de la célula de SRAM-tri 1.5x muestra de células superiores lectura actual en comparación con el estándar
célula de SRAM plana de tamaño de las células equivalentes debido a la mayor dispositivo Z anchura total total = 2 * H Si W Si +.
Resumen
Como los transistores más pequeños, las corrientes de fuga parasitarias y la disipación de energía convertido en temas importantes. Al integrar el nuevo diseño tridimensional de los transistores tri-gate con tecnología avanzada de semiconductores, tales como la ingeniería de tensión y la puerta high-k/metal pila, Intel ha desarrollado un enfoque innovador hacia la solución del problema de fuga de corriente al mismo tiempo mejorar el rendimiento del dispositivo.
El CMOS integrados transistores tri-gate desempeñará un papel fundamental en la filosofía de Intel de rendimiento con eficiencia energética, ya que tienen una fuga de corriente más baja y consumen menos energía que transistores planar.
Debido a que los transistores tri-gate mejorar en gran medida el rendimiento y la eficiencia energética, que permitirá a Intel de ampliar la escala de los transistores de silicio. Intel espera que los transistores tri-gate podría convertirse en el bloque de construcción básico de los microprocesadores en los nodos de la tecnología futura. La tecnología puede ser integrada en un proceso económico, de fabricación de alto volumen, lo que de alto rendimiento y productos de bajo consumo.
Tomado de: http://www.intel.com/technology/silicon/integrated_cmos.htm
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